Размер:
AAA
Цвет: CCC
Изображения: Вкл.Выкл.
Обычная версия сайта

Архив

Редакция журнала «Вестник МГТУ» поддерживает политику открытого доступа «Open Access», что позволяет пользователям бесплатно и неограниченно использовать тексты научных статей (читать, загружать, копировать, распространять) при условии указания авторства.

Издание "Вестник МГТУ" доступно на условиях лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 3.0 Непортированная.

Гнатюк В. С., Морозов Н. Н.

Метод защиты электронной аппаратуры от импульсного рентгеновского излучения

DOI: 10.21443/1560-9278-2017-20-4-729-733

PDFЧитать

Аннотация. Рентгеновские установки с высокой мгновенной интенсивностью применяются в ходе неразрушающего контроля массивных изделий, при радиационных испытаниях, а также для придания новых свойств различным полимерным материалам. В этих условиях входные каскады измерительных систем, призванных контролировать параметры процессов, подвержены воздействию мощного потока рентгеновского излучения, который порождает лавины вторичных электронов в чувствительной части первичных измерительных преобразователей, что приводит к выходу их из строя или временной неработоспособности из-за тиратронного эффекта в р-n-переходах полупроводниковых электронных устройств. Представлен метод шунтирования цепей питания в реальном масштабе времени, применяемый для защиты входных каскадов электронных устройств, находящихся в зоне ионизации. Шунтирование обеспечивается посредством создания в защитном устройстве высокой проводимости тем же потоком излучения. Рассмотрена возможность разработки защитных устройств на основе полупроводниковых камер со стенками с высокой тормозной способностью. Излучение формирует в стенке камеры высокий уровень потока вторичных электронов, которые пронизывают пластину из полупроводника с высокой подвижностью электронов проводимости. Электроны проводимости образуются в полупроводнике на последних стадиях электронных лавин, вызванных высокоэнергетичными вторичными электронами. Такая возможность подтверждена расчетами защитных свойств конкретной камеры со стенкой из свинца, в которую помещена пластина из арсенида галлия (толщина стенки равна средней длине свободного пробега фотоэлектрона). В этом случае соблюдается условие электронного равновесия, т. е. число вторичных электронов, рожденных в стенке вследствие внутреннего фотоэффекта, будет равно числу электронов, поглощенных стенкой, но при этом поток рентгеновских фотонов заметно не меняется. Выполнение этого условия дает наибольший шунтирующий эффект.

Печатная ссылка: Гнатюк В. С., Морозов Н. Н. Метод защиты электронной аппаратуры от импульсного рентгеновского излучения // Вестник МГТУ. 2017. Т. 20, № 4. C. -.

Электронная ссылка: Гнатюк В. С., Морозов Н. Н. Метод защиты электронной аппаратуры от импульсного рентгеновского излучения // Вестник МГТУ. 2017. Т. 20, № 4. C. -. URL: http://vestnik.mstu.edu.ru/v20_4_n74/10_Morozov_729-733.pdf.

(на русск., cтр.5, рис. 1, ссылок 5, Adobe PDF, WO, 141 КБ)