Архив
Редакция журнала «Вестник МГТУ» поддерживает политику открытого доступа «Open Access», что позволяет пользователям бесплатно и неограниченно использовать тексты научных статей (читать, загружать, копировать, распространять) при условии указания авторства.
Власова С. В., Петров В. В., Шапочкин П. Ю.
Использование полупроводниковых лазерных диодов в области низких температур
DOI: 10.21443/1560-9278-2016-4-697-703
- Development of a System for Checking the Integrity of the Fiber-Optic Line for Pyroautomatic System
Andrew I. Garanin, Ianina D. Tokareva, Sofya D. Bochkova, Yuri A. Konin, Victoria A. Scherbakova
2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), 2020: 1116 - Features of laser diodes' radiation in different temperature intervals
S. V. Vlasova, A. B. Vlasov , P. Yu. Shapochkin
Vestnik MGTU, 2017; 20(4): 697
Аннотация. В работе проведен теоретический анализ и экспериментальное исследование возможности использования серийно выпускаемых полупроводниковых лазерных диодов в области низких температур, вплоть до температуры 50 К. Актуальность данной работы обусловлена необходимостью разработки датчиков для дистанционного измерения низких температур на основе полупроводниковых лазерных излучателей. Для реализации идеи проведен анализ зависимости длины волны, излучаемой полупроводниковым лазерным диодом, от температуры среды. Рассмотрены физические причины, определяющие указанную зависимость. Показано, что температурный коэффициент изменения ширины запрещенной зоны является ключевым фактором, определяющим зависимость длины волны излучения лазера от температуры среды. Выполнен расчет численных значений температурного коэффициента изменения ширины запрещенной зоны для исследуемых полупроводниковых лазерных диодов, осуществлено сравнение результатов эксперимента с литературными данными. Экспериментальное определение температурного коэффициента изменения ширины запрещенной зоны для диодов некоторых марок показало, что в области температур 130?150 К происходит резкое возрастание модуля величины анализируемого параметра. Высказано мнение, что требуются дальнейшие исследования в этом направлении, объясняющие возможные причины наблюдаемого эффекта. Для выяснения влияния температуры на характер спектра излучения полупроводникового лазерного диода выполнены измерения спектра излучения при нескольких температурах. Показано, что при определенной температуре полупроводниковый лазерный диод может работать в одномодовом режиме. Отмечено, что значение температурного коэффициента изменения ширины запрещенной зоны сохраняется, независимо от режима работы лазера (одномодовый, многомодовый, режим спонтанного излучения). Результаты исследования, представленные в статье, актуальны для анализа работы лазерных излучателей при низких температурах эксплуатации.
Печатная ссылка: Власова С. В., Петров В. В., Шапочкин П. Ю. Использование полупроводниковых лазерных диодов в области низких температур // Вестник МГТУ. 2016. Т. 19, № 4. C. 697-703.
Электронная ссылка: Власова С. В., Петров В. В., Шапочкин П. Ю. Использование полупроводниковых лазерных диодов в области низких температур // Вестник МГТУ. 2016. Т. 19, № 4. C. 697-703. URL: http://vestnik.mstu.edu.ru/v19_4_n68/2_Vlasova_697_703.pdf.
(на русск., cтр.7, рис. 1, табл 1, ссылок 8, Adobe PDF, WO)
